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Translation of "lithographie à rayons x mous " (French → English) :

TERMINOLOGY
see also In-Context Translations below
lithographie par rayons X | lithographie aux rayons X | lithographie à rayons X | lithographie X

X-ray lithography | XRL | X-lithography
physique > optique | électronique | nanotechnologie
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lithographie par ultraviolets extrêmes | lithographie aux ultraviolets extrêmes | lithographie ultraviolet extrême | lithographie UV extrême | lithographie EUV | lithographie par rayons X mous

extreme ultraviolet lithography | extreme UV lithography | EUV lithography | soft X-ray lithography
physique > optique | électronique | nanotechnologie
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lithographie à rayons X mous

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IATE - Information technology and data processing | Natural and applied sciences
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spectromètre à particules alpha et à rayons X [ APXS | spectromètre APXS | spectromètre d'analyse à particules alpha et à rayons X | spectromètre d'analyse de particules alpha et de rayonnement X | spectromètre alpha-protons-rayons X | spectromètre dans le rayonnement X des protons alpha ]

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dual-energy X-ray absorptiometry | DXA | DEXA | dual X-ray absorptiometry
médecine > radiographie et radioscopie | médecine > orthopédie
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analyse par rayons X à dispersion d'énergie [ dispositif d'analyse aux rayons X à dispersion d'énergie | radiographie à rayons X diffusés ]

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Contrôle destructif et non destructif (Matér.)
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lithographie par rayons X

X-ray lithography
IATE - Technology and technical regulations
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lithographie à rayon direct

direct-beam lithography
IATE - Information technology and data processing
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IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Les rayons X à faible énergie sont en fait plus absorbés que les rayons cosmiques à plus haute énergie que vous recevez en vol, ils sont donc plus dangereux et non pas moins dangereux pour la peau et les tissus mous.

Soft low-energy X-rays actually are more absorbed than the higher-energy cosmic rays you receive whilst flying and are thus more dangerous and not less dangerous to the skin and soft tissues.


Étant donné que la taille des semi-conducteurs ne cesse de diminuer, il est largement admis que dans 10 à 11 ans, la longueur d'onde de la lumière qui sera nécessaire à la lithographie ira au-delà du spectre ultraviolet, atteignant l'extrême ultraviolet (EUV) ou la zone des rayons X mous.

With the constant diminution in the semiconductor structure size, it is well established that within 10-11 years, the wave length of the light required in the lithography process will go past the ultra-violet spectrum into the Extreme-Ultra-Violet (EUV) or soft X-ray zone.


Elle est également en concurrence avec d'autres techniques (telles que le rayon X et la lithographie par faisceau électronique), qui ont également fait l'objet de nombreuses études aux États-Unis.

It also competes with other technologies (like X-ray and electron beam lithography), that have also been intensely studied in the USA.




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lithographie à rayons x mous

Date index:2022-03-04 -

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