8542 31 à 8
542 33 et 8542 39 | Circuits intégrés monolithiques | Fabrication à partir de matières de toute position, à l'exclusion des matières de la même position que le produit ou l'opération de diffusion dans laquelle les circuits
intégrés sont formés sur un support semi-conducteur, grâce à l'introduction sélective d'un dopant adéquat, qu'ils soient ou
non assemblés et/ou testés dans un pays autre | Fabrication dans laquelle la valeur de toutes les matières utilisées ne doit pas excéder 45
...[+++]% du prix départ usine du produit |
8542 31 to 8542 33 and 8542 39 | Monolithic integrated circuits | Manufacture from materials of any heading, except that of the product or The operation of diffusion, in which integrated circuits are formed on a semi-conductor substrate by the selective introduction of an appropriate dopant, whether or not assembled and/or tested in a non-party | Manufacture in which the value of all the materials used does not exceed 45 % of the ex-works price of the product |
