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circuit à transistors Mos complémentaires | circuit « C. Mos »

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complementary metal oxide semiconductor circuit | C. Mos circuit

horlogerie > montre à quartz

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circuit MOS [ circuit intégré MOS | circuit intégré à transistors MOS ]

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MOS circuit [ MOS integrated circuit | MOS IC ]

Technologie des circuits électroniques | Circuits imprimés et micro-électronique

Electronic Circuits Technology | Printed Circuits and Microelectronics

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circuit à transistor à collecteur commun

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common-collector transistor circuit

Circuits électriques et coupe-circuits | Semi-conducteurs (Électronique)

Electrical Circuits and Circuit Breakers | Semiconductors (Electronics)

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circuit intégré à transistors MOS | MOS complémentaire | CMOS [Abbr.]

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complementary metal-oxide semiconductor | CMOS [Abbr.]

IATE - Information technology and data processing | Electronics and electrical engineering

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transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur [ transistor MOS | transistor à effet de champ MOS | transistor métal oxyde semiconducteur | transistor à effet de champ à oxyde métallique ]

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metal-oxide semiconductor field-effect transistor [ MOSFET | metal oxide semiconductor transistor | MOS transistor ]

Semi-conducteurs (Électronique)

Semiconductors (Electronics)

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circuit CMOS | circuit MOS complémentaire

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CMOS circuit

IATE - Electronics and electrical engineering

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MOS à canal p | transistor MOS à canal P | PMOS | transistor PMOS

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p-channel MOS | PMOS | PMOS transistor

électronique > transistor

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circuit en échelle à transistors MOS

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ladder-array of MOS transistors

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circuit logique à diodes et transistors | circuit à diodes et transistors | logique à diodes et transistors | logique diode-transistor | circuit DTL

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Diode Transistor Logic | DTL | diode-transistor logic

électronique > conception des microcircuits | informatique > programmation informatique

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

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Circuit à transistors Mos complémentaires

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