[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

https://eur-lex.europa.eu/lega (...) [HTML] [2017-12-31]

Aux fins de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41 et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

For purposes of this Note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading 85.41 and integrated circuits and microassemblies of heading 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-26]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-26]

Pour l’application de la présente note, « élément actif » s’entend de toute diode, tout transistor et tout dispositif similaire à semi-conducteurs, photosensibles ou non, de la position 85.41, et des circuits intégrés et micro-assemblages de la position 85.42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-25]

For purposes of this note, “active elements” means diodes, transistors and similar semiconductor devices, whether or not photosensitive, of heading No. 85. 41, and integrated circuits and microassemblies of heading No. 85. 42.

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) (...) [HTML] [2014-09-25]

http://laws-lois.justice.gc.ca (...) [HTML] [2014-09-25]

Le nombre de transistors pouvant être placés sur un circuit intégré devrait aller en augmentant de façon exponentielle et doubler tous les deux ans environ (suivant la loi dite de Moore).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

The number of transistors that can be placed on an integrated circuit is expected to increase exponentially, doubling approximately every two years (so-called 'Moore's Law').

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2010-09-28]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2010-09-28]

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[16] Cette observation a été formulée en 1965 par Gordon Moore, cofondateur de l'entreprise Intel, à propos du rythme de progression du nombre de transistors sur un circuit intégré.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

[16] The observation made in 1965 by Gordon Moore, co-founder of Intel, about the speed at which the density of transistors in integrated circuits was increasing.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-12-31]

b) les circuits intégrés hybrides réunissant, de façon pratiquement indissociable, sur un même substrat isolant (verre, céramique, etc.) des éléments passifs (résistances, capacités, interconnexions, etc.), obtenus par la technologie des circuits à couche mince ou épaisse et des éléments actifs (diodes, transistors, circuits intégrés monolithiques, etc.) obtenus par la technologie des semi-conducteurs.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

(b) hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-10-11]

a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

(a) monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1999-10-11]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1999-10-11]

B) «Circuits intégrés et micro-assemblages électroniques»: a) les circuits intégrés monolithiques dans lesquels les éléments du circuit (diodes, transistors, résistances, capacités, interconnexions, etc.) sont créés dans la masse (essentiellement) et à la surface d'un matériau semi-conducteur (silicium dopé, par exemple), formant un tout indissociable ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

(B) "Electronic integrated circuits and microassemblies" are: (a) Monolithic integrated circuits in which the circuit elements (diodes, transistors, resistors, capacitors, interconnections, etc.) are created in the mass (essentially) and on the surface of a semiconductor material (doped silicon, for example) and are inseparably associated ;

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1987-07-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

(b) Hybrid integrated circuits in which passive elements (resistors, capacitors, interconnections, etc.), obtained by thin-or thick-film technology, and active elements (diodes, transistors, monolithic integrated circuits, etc.), obtained by semiconductor technology, are combined to all intents and purposes indivisibly, on a single insulating substrate (glass, ceramic, etc.).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [1987-07-19]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [1987-07-19]

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Circuit intégré à transistors MOS et bipolaires

Date index:2021-02-12 -

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