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AlGaAs
Amplificateur de puissance à FET GaAs
Amplificateur de puissance à TEC GaAs
Amplificateur à arséniure de gallium à effet de champ
Arséniure d'aluminium et de gallium
Arséniure d'aluminium gallium
Arséniure d'indium et de gallium
Arséniure de gallium
Arséniure de gallium aluminium
Arséniure de gallium et d'aluminium
Arséniure de gallium et d'indium
Arséniure de gallium-aluminium
Arséniure de gallium-indium
Arsénure de gallium
Cathode photoélectrique à l'arséniure de gallium
Circuits AsGA
GaAlAs
GaInAs
Gallium
Germanium
Indium
Métal spécial
Photocathode à l'arséniure de gallium

Translation of "Arséniure de gallium-indium " (French → English) :

TERMINOLOGY
see also In-Context Translations below
arséniure de gallium-indium

gallium-indium arsenid
IATE - Natural and applied sciences | Chemistry
IATE - Natural and applied sciences | Chemistry


arséniure d'indium et de gallium | GaInAs | arséniure de gallium et d'indium | arséniure de gallium-indium

gallium indium arsenide | GaInAs
électronique > semi-conducteur | chimie
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arséniure d'aluminium et de gallium | GaAlAs | arséniure de gallium-aluminium | arséniure de gallium aluminium | arséniure de gallium et d'aluminium | arséniure d'aluminium gallium | AlGaAs

gallium aluminum arsenide | GaAlAs | aluminum gallium arsenide
électronique > semi-conducteur | chimie
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photodétecteur à avalanche à l'arséniure de gallium et d'indium

indium gallium-arsenide APD
Photo-électricité et optique électronique | Télécommunications optiques
Photoelectricity and Electron Optics | Optical Telecommunications


amplificateur de puissance à transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium [ amplificateur de puissance à TEC GaAs | amplificateur de puissance à FET GaAs | amplificateur à arséniure de gallium à effet de champ ]

gallium arsenide FET power amplifier [ SSPA | GaAsFET amplifier ]
Électrotechnique | Semi-conducteurs (Électronique) | Télécommunications
Electrical Engineering | Semiconductors (Electronics) | Telecommunications


photocathode à l'arséniure de gallium [ cathode photoélectrique à l'arséniure de gallium ]

gallium arsenide photocathode [ GaAs photocathode ]
Masers et lasers
Photoelectricity and Electron Optics


arséniure de gallium | arsénure de gallium

gallium arsenide
IATE - Chemistry | Electronics and electrical engineering
IATE - Chemistry | Electronics and electrical engineering


circuits AsGA (arséniure de gallium)

Gallium Arsenide devices (GA As)
IATE -
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laser semiconducteur à l'arséniure de gallium/aluminium

Al Ga As type semiconductor laser | diode laser | laser diode | injected laser
électroacoustique > matériel de reproduction du son
électroacoustique > matériel de reproduction du son


métal spécial [ gallium | germanium | indium ]

special metal [ gallium | germanium | indium | Critical metals(STW) ]
68 INDUSTRIE | MT 6816 métallurgie et sidérurgie | BT1 métal
68 INDUSTRY | MT 6816 iron, steel and other metal industries | BT1 metals
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Béryllium, chrome, germanium, vanadium, gallium, hafnium (celtium), indium, niobium (columbium), rhénium et thallium, y compris les déchets et débris (à l'exclusion des demi-produits et produits finis)

Beryllium, chromium, germanium, vanadium, gallium, hafnium, indium, niobium (colombium), rhenium and thallium, including waste and scrap (except semi-finished and finished products)


Le règlement (UE) no 944/2013 établit une nouvelle classification harmonisée pour les substances suivantes: le [brai de goudron de houille à haute température] a été classé comme cancérogène de catégorie 1A; l’arséniure de gallium a été classé comme cancérogène de catégorie 1B; le [brai de goudron de houille à haute température] a été classé comme mutagène de catégorie 1B; le [brai de goudron de houille à haute température], l’époxiconazole (ISO), le nitrobenzène, le phthalate de dihexyle, la N-éthyl-2-pyrrolidone, le pentadécafluorooctanoate d’ammonium, l’acide pentadécafluorooctanoïque et le 10-éthyl-4,4-dioctyl-7-oxo-8-oxa-3,5-dith ...[+++]

Regulation (EU) No 944/2013 establishes a new harmonised classification for the following substances: [pitch, coal tar, high-temp.] has been classified as carcinogenic 1A; gallium arsenide has been classified as carcinogenic 1B; [pitch, coal tar, high-temp.] has been classified as mutagenic 1B; [pitch, coal tar, high-temp.], epoxiconazole (ISO), nitrobenzene, dihexyl phthalate, N-ethyl-2-pyrrolidone, ammoniumpentadecafluorooctanoate, perfluorooctanoic acid and 2-ethylhexyl 10-ethyl-4,4-dioctyl-7-oxo-8-oxa-3,5-dithia-4-stannatetradecanoate have been classified as reproductive toxicant 1B.


Un succès durable dans le développement et le déploiement à grande échelle des techniques PCH dépendra en grande mesure de la disponibilité de quelques matières premières essentielles: terres rares, métaux du groupe platine et métaux high-tech (indium ou gallium, par exemple).

The successful and sustainable development and large-scale deployment of FCH technologies will depend largely upon the availability of some critical raw materials, such as rare earths, platinum group metals and high-tech metals (for example indium and gallium).


centrales électriques photovoltaïques à grande échelle utilisant des cellules cuivre-indium-gallium-(di)selenide (CIGS), d’une capacité nominale de 40 MW.

Large-scale Copper indium gallium (di)selenide (CIGS)-based photovoltaics power plants with nominal capacity 40 MW.


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—centrales électriques photovoltaïques à grande échelle utilisant des cellules cuivre-indium-gallium-(di)selenide (CIGS), d’une capacité nominale de 40 MW.

—Large-scale Copper indium gallium (di)selenide (CIGS)-based photovoltaics power plants with nominal capacity 40 MW.


L'alinéa 6A002.c. ne vise pas les équipements suivants incorporant des photocathodes autres qu'à l'arséniure de gallium (AsGa) ou à l'arséniure de gallium-indium (AsInGa):

6A002.c. does not control the following equipment incorporating other than GaAs or GaInAs photocathodes:


—débris d'hafnium, indium, niobium, rhénium et gallium,

—Scrap of Hafnium, Indium, Niobium, Rhenium and Gallium


Les composés III/V sont des produits polycristallins ou monocristallins binaires ou complexes constitués d'éléments des groupes IIIA et VA du tableau de classification périodique de Mendeleïev (arséniure de gallium, arséniure de gallium-aluminium, phosphure d'indium, etc.).

III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).


– Débris d'hafnium, indium, niobium, rhénium et gallium

– Scrap of Hafnium, Indium, Niobium, Rhenium and Gallium


Débris d'hafnium, indium, niobium, rhénium et gallium

Scrap of Hafnium, Indium, Niobium, Rhenium and Gallium




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Arséniure de gallium-indium

Date index:2024-01-02 -

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