Translation of "Dêpôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire " (French → German) :

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dêpôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire

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CVD-Beschichten mit pulsierenden Druck

IATE - Natural and applied sciences | Chemistry

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déposition en phase vapeur | dépôt chimique en phase vapeur | dépôt chimique phase vapeur | dépôt en phase vapeur | dépôt en phase vapeur par procédé chimique

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IATE - Soft energy | Electronics and electrical engineering

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dépôt en phase vapeur par procédé chimique organométallique | MOCVD [Abbr.]

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MOCVD [Abbr.]

IATE - Natural and applied sciences

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a mises sur le marché dans l’Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de ...[+++]vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.

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alle Mengen jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in der Union in Verkehr gebracht hat, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, für die Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie gesondert anzugeben sind.

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aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs.

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teilfluorierte Kohlenwasserstoffe, die von einem Hersteller oder Einführer direkt an ein Unternehmen geliefert werden, das sie zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie verwendet.

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10. Les gaz à effet de serre fluorés mis sur le marché pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l’industrie des semi-conducteurs sont munis d’une étiquette indiquant que les substances présentes dans le conteneur peuvent uniquement être utilisées à cette fin.

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(10) Fluorierte Treibhausgase, die zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie in Verkehr gebracht werden, werden mit einer Kennzeichnung versehen, auf der angegeben ist, dass der Inhalt des Behälters nur zu diesem Zweck verwendet werden darf.

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les quantités de chaque substance énumérée à l’annexe I et, le cas échéant, à l’annexe II, qu’il a importée dans l’Union, en indiquant les principales catégories d’applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d’inhalateurs doseurs destinés à l’administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt ...[+++]

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die Menge jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in die Union eingeführt hat, unter Angabe der Hauptkategorien der Anwendungen, für die die Stoffe verwendet werden, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Zerstörung, für Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, zur Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterin ...[+++]

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10. Les gaz à effet de serre fluorés mis sur le marché pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs sont munis d'une étiquette indiquant que les substances présentes dans le conteneur peuvent uniquement être utilisées à cette fin.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2014-03-11]

10. Fluorierte Treibhausgase, die zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie in Verkehr gebracht werden, werden mit einer Kennzeichnung versehen, auf der angegeben ist, dass der Inhalt des Behälters nur zu diesem Zweck verwendet werden darf.

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2014-03-11]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) [HTML] [2014-03-11]

les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a importée dans l'Union, en indiquant les principales catégories d'applications dans lesquelles la substance est utilisée, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour destruction, utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt ...[+++]

http://www.europarl.europa.eu/ (...) (...) [HTML] [2014-03-11]

die Menge jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in die Union eingeführt hat, unter Angabe der Hauptkategorien der Anwendungen, für die die Stoffe verwendet werden, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Zerstörung, für Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, zur Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterin ...[+++]

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les quantités de chaque substance énumérée à l'annexe I et, le cas échéant, à l'annexe II, qu'il a mises sur le marché dans l'Union, en indiquant séparément les quantités mises sur le marché pour utilisation comme intermédiaire de synthèse, exportation directe, production d'inhalateurs doseurs destinés à l'administration de produits pharmaceutiques, utilisation dans des équipements militaires et utilisation pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de ...[+++]vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;

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alle Mengen jedes in Anhang I und gegebenenfalls Anhang II aufgeführten Stoffes, die er in der Union in Verkehr gebracht hat, wobei die in Verkehr gebrachten Mengen zur Verwendungen als Ausgangsstoff, für direkte Ausfuhren, zur Herstellung von Dosier-Aerosolen für die Verabreichung pharmazeutischer Wirkstoffe, für die Verwendung in Militärausrüstung und die Verwendung zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie gesondert anzugeben sind ;

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aux hydrofluorocarbones fournis directement par un producteur ou un importateur à une entreprise qui les utilise pour la gravure de matériaux semi-conducteurs ou le nettoyage de chambres de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique dans l'industrie des semi-conducteurs;

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teilfluorierte Kohlenwasserstoffe, die von einem Hersteller oder Einführer direkt an ein Unternehmen geliefert werden, das sie zum Ätzen von Halbleitermaterial oder zur Reinigung von Kammern für die chemische Beschichtung aus der Gasphase in der Halbleiterindustrie verwendet;

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Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) comprend les procédés suivants: dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plas ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

Das CVD-Beschichten schließt folgende Verfahren ein: Abscheidung mittels gerichtetem Gasfluss ohne direkten Pulverkontakt des Substrats (out of pack), CVD-Beschichten mit pulsierendem Druck, thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (CNTD), plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

a. Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) est un procédé de revêtement par recouvrement ou revêtement par modification de surface par lequel un métal, un alliage, un matériau "composite", un diélectrique ou une céramique est déposé sur un substrat chauffé.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

a) Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) ist ein Verfahren zum Aufbringen von Auflageschichten oder oberflächenverändernden Schichten, bei dem ein Metall, eine Legierung, ein "Verbundwerkstoff", ein Dielektrikum oder Keramik auf einem erhitzten Substrat abgeschieden wird.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2003-01-26]

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Dêpôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire

Date index:2023-12-11 -

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