Deux technologies permettent actuellement d’aller au-delà du 28nm : la technologie FinFET, issue des laboratoires de la DARPA aux Etats-Unis, industrialisée pour la première fois par Intel, puis par TSMC d’une part ; et la technologie FDSOI ("Fully Depleted Silicon On Insulator"), dont les performances et la potentialité à remplacer les transistors CMOS sur substrats massifs pour le nœud technologique 28nm ont été démontrées dans le cadre de l’alliance ISDA avec IBM et du projet Nano2012 (voir IP/09/150), et dont le développement au-delà du 28nm est au cœur du programme Nano2017 d’autre part.
Zurzeit gestatten zwei Technologien Werte unter 28 nm: zum einen die Technologie FinFET, die in den Laboratorien der DARPA in den Vereinigten Staaten entwickelt und erstmals von Intel und anschließend von TSMC industriell verwendet wurde, und zum anderen die Technologie FDSOI („Fully Depleted Silicon On Insulator“), deren Leistungsfähigkeit und Potenzial als Ersatz für CMOS‑Transistoren auf Massivsubstrat für den 28 nm‑Technologieknoten im Rahmen des ISDA-Verbunds mit IBM und des Projekts Nano2012 aufgezeigt wurde (siehe IP/09/150) und deren Weiterentwicklung über die 28 nm hinaus den Kern des Programms Nano2017 bildet.