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Allocation dynamique de mémoire
Attribution dynamique de mémoire
Attribution dynamique des mémoires
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Dram
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Mémoire D-RAM
Mémoire DRAM
Mémoire RAM dynamique
Mémoire RDRAM
Mémoire Rambus
Mémoire SDRAM
Mémoire dynamique
Mémoire dynamique Rambus
Mémoire dynamique synchrone
Mémoire dynamique à accès aléatoire
Mémoire synchrone
Mémoire vive Rambus
Mémoire vive SDRAM
Mémoire vive dynamique
Mémoire vive dynamique Rambus
Mémoire vive dynamique améliorée
Mémoire vive dynamique synchrone
Mémoire électronique dynamique
RAM dynamique
RAM dynamique améliorée

Translation of "mémoire électronique dynamique " (French → English) :

TERMINOLOGY
see also In-Context Translations below
mémoire dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | Mémoire électronique dynamique | Dram [Abbr.]

dynamic Ram | dynamic random-access memory | dynamic storage | DRAM [Abbr.] | D-RAM [Abbr.]
IATE - Information technology and data processing
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mémoire vive dynamique [ DRAM | RAM dynamique | mémoire RAM dynamique | mémoire dynamique à accès aléatoire | mémoire DRAM | mémoire D-RAM ]

dynamic RAM [ DRAM | DRAM memory | dynamic random-access memory | dynamic-RAM | D-RAM ]
Mémoires (Informatique)
Computer Memories


mémoire vive dynamique | mémoire dynamique | mémoire RAM dynamique | mémoire DRAM

dynamic random access memory | DRAM | dynamic random-access memory | dynamic RAM
informatique > mémoire d'ordinateur
informatique > mémoire d'ordinateur


attribution dynamique de mémoire [ attribution dynamique des mémoires | allocation dynamique de mémoire ]

dynamic storage allocation [ dynamic memory allocation | dynamic allocation of memory | dynamic memory relocation ]
Mémoires (Informatique) | Programmes et programmation (Informatique)
Programming Languages


mémoire RAM dynamique | mémoire vive dynamique | MEVD [Abbr.]

dynamic RAM | dynamic random access memory | DRAM [Abbr.]
IATE - Information technology and data processing
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mémoire dynamique | mémoire vive dynamique | DRAM [Abbr.]

dynamic random access memory | DRAM [Abbr.]
IATE - Information technology and data processing
IATE - Information technology and data processing


mémoire vive dynamique synchrone | mémoire dynamique synchrone | mémoire synchrone | mémoire vive SDRAM | mémoire SDRAM

synchronous dynamic random access memory | SDRAM | SD-RAM | synchronous dynamic RAM | synchronous DRAM
informatique
informatique


mémoire vive dynamique Rambus | mémoire dynamique Rambus | mémoire vive Rambus | mémoire RDRAM | mémoire Rambus

Rambus dynamic random access memory | RDRAM | R-DRAM | Rambus dynamic RAM | Rambus DRAM
informatique
informatique


mémoire vive dynamique améliorée [ EDRAM | RAM dynamique améliorée | DRAM améliorée ]

enhanced DRAM
Mémoires (Informatique)
Computer Memories


mémoire vive dynamique

dynamic random-access memory | dynamic RAM [ DRAM ]
Terminologie (Linguistique et littérature)
Linguistics, language & literature
IN-CONTEXT TRANSLATIONS
Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.


Le Conseil a adopté un règlement modifiant le règlement (CE) n° 1480/2003 instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits "DRAM" (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (doc. 7246/06).

The Council adopted a regulation amending regulation 1480/2003 imposing a definitive countervailing duty and collecting definitely the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories originating in the Republic of Korea (7246/06).


Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels qu ...[+++]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.


Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).

The definitive Regulation was preceded by Commission Regulation (EC) No 708/2003 of 23 April 2003 imposing a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea (4) (provisional Regulation).


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Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).


Le Conseil a arrêté ce jour , les délégations française et néerlandaise votant contre, un règlement instituant un droit compensateur définitif et portant perception définitive du droit provisoire institué sur les importations de certains microcircuits électroniques dits "DRAM" (dynamic random access memories mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (doc. 11806/03).

The Council adopted today , with the French and Netherlands delegations voting against, a Regulation imposing a definitive countervailing duty and collecting definitively the provisional duty imposed on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea (11806/03).


Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.

The products investigated are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) either in - processed wafer of die form, or - assembled and tested, or in - multicombinational forms such as DRAM-modules, of all MOS technologies and all densities irrespective of differences in configuration, package or access time.


Antidumping : Importations de "DRAM" du Japon et de la République de Corée Le Conseil a prorogé, pour une période d'un an, la suspension des droits antidumping définitifs sur les importations de certains types de microcircuits électroniques, dits "DRAM" (dynamic random access memories - mémoires dynamiques à accès aléatoire), originaires du Japon et de la République de Corée, institués respectivement par les règlements (CEE) nu 2112/90 et nu 611/93.

Anti-dumping measures: imports of "DRAMs" from Japan and the Republic of Korea The Council extended for one year the suspension of the definitive anti- dumping duties n imports of certain types of electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in Japan and in the Republic of Korea, imposed respectively by Regulations (EEC) Nos 2112/90 and 611/93.




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mémoire électronique dynamique

Date index:2022-02-26 -

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