fichier à accès direct | fichier direct | fichier à accès aléatoire | fichier à accès sélectif | fichier organisé par adresses

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direct access file | direct file | random access file | random file

informatique > banque de données

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mémoire cache à accès direct | cache à accès direct

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direct-mapped cache | direct cache | direct-access cache

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Les produits considérés et les produits similaires sont les mêmes que lors de l'enquête initiale, à savoir certains types de microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), de tous types, densités (y compris les densités non encore existantes) et variantes, assemblés ou non, sous forme de disques ou de microplaquettes transformés, fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), quels que soient leurs vitesse d'accès ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

The product under consideration and the like product are the same as that covered by the original investigation, i.e. certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., or ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

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Le règlement définitif a été précédé du règlement (CE) no 708/2003 de la Commission du 23 avril 2003 instituant un droit compensateur provisoire sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée (4) (ci-après dénommé «règlement provisoire»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

The definitive Regulation was preceded by Commission Regulation (EC) No 708/2003 of 23 April 2003 imposing a provisional countervailing duty on imports of certain electronic microcircuits known as DRAMs (dynamic random access memories) originating in the Republic of Korea (4) (provisional Regulation).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Par le règlement (CE) no 1480/2003 (3) (ci-après dénommé «règlement définitif»), le Conseil a institué un droit compensateur définitif de 34,8 % sur les importations de certains microcircuits électroniques dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire) originaires de la République de Corée et fabriqués par toutes les sociétés autres que Samsung Electronics Co., Ltd (ci-après dénommée «Samsung»), pour laquelle un taux de droit nul a été établi.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

By Regulation (EC) No 1480/2003 (3) (the definitive Regulation), the Council imposed a definitive countervailing duty of 34,8 % on imports of certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) originating in the Republic of Korea and manufactured by all companies other than Samsung Electronics Co., Ltd (Samsung), for which a 0 % duty rate was established.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2006-04-09]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2006-04-09]

Les produits faisant l'objet du réexamen sont certains circuits électroniques intégrés dits «DRAM» (dynamic random access memories — mémoires dynamiques à accès aléatoire), fabriqués à l'aide de variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), y compris certains types de MOS complémentaire (CMOS), de tous types, densités et variantes, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc., originaires de la République de Corée (ci-après dénommés «produit concerné»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

The product under review is certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame, etc. originating in the Republic of Korea (‘the product concerned’).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

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La Commission européenne a institué aujourd'hui un droit compensateur provisoire de 33% sur les importations de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire) produits par le producteur coréen Hynix Semiconductor.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-04-23]

Today the European Commission has imposed a provisional countervailing duty of 33% on imports of DRAMS (dynamic random access memories) produced by the Korean producer Hynix Semiconductor.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2003-04-23]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2003-04-23]

Le 22 mai 2001, l'Allemagne a fait part, conformément à l'encadrement multisectoriel des aides à finalité régionale en faveur de grands projets d'investissement ("encadrement multisectoriel"), de son intention d'octroyer une aide à Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG en vue de la construction d'une installation de production de DRAM (mémoires dynamiques à accès aléatoire).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2001-12-21]

On 22 May 2001 Germany notified its intention to grant aid under the multisectoral framework on regional aid for large investment projects (multisectoral framework) in favour of Infineon Technologies SC 300 GmbH Co. KG in view of the construction of a new plant for the production of DRAMs.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2001-12-21]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2001-12-21]

Le projet vise notamment la construction d'une nouvelle usine de production de DRAMs (mémoires dynamiques à accès aléatoire - des semi-conducteurs qui stockent des données binaires) avec une capacité de stockage de 512 megabit et au-delà.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2001-11-27]

The project comprises the construction of a new plant producing DRAMs (Dynamic Random Access Memory - semiconductors that store binary data) with a storage capability of 512 megabit and beyond.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2001-11-27]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2001-11-27]

La Commission européenne a autorisé la création d'une entreprise commune de plein exercice entre Hitachi, Ltd (Japon) et NEC Corporation (Japon), qui regroupera les activités des deux entreprises dans le secteur des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-05-03]

The European Commission has authorised the creation of a full-function joint venture between Hitachi, Ltd (Japan) and NEC Corporation (Japan) combining the two companies' businesses in the field of DRAMs (Dynamic Random Access Memory).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [2000-05-03]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [2000-05-03]

Les produits couverts par l'accord sont des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) et des mémoires flash mortes programmables électriquement (Flash EPROM).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [1998-10-14]

The products covered under the agreement are Dynamic Random Access Memories (DRAMs) and Flash Erasable Programmable Read-Only Memories (Flash EPROMs).

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML] [1998-10-14]

http://europa.eu/rapid/press-r (...) [HTML] [1998-10-14]

Les produits qui ont fait l'objet de l'enquête sont certains types de micro-circuits électroniques appelés mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM), qu'ils aient la forme de disques ou de micro-plaquettes usinés, qu'ils soient assemblés et testés, ou transformés en modules de différentes configurations; ils sont réalisés selon toutes les variantes de la technologie MOS et dans toutes les densités, quels que soient leur vitesse d'accès, leur configuration et leur boîtier.

http://europa.eu/rapid/press-r (...) (...) [HTML]

The products investigated are certain types of microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs) either in - processed wafer of die form, or - assembled and tested, or in - multicombinational forms such as DRAM-modules, of all MOS technologies and all densities irrespective of differences in configuration, package or access time.

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mémoire dynamique à accès aléatoire

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