amplificateur de puissance à transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium [ amplificateur de puissance à TEC GaAs | amplificateur de puissance à FET GaAs | amplificateur à arséniure de gallium à effet de champ ]

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gallium arsenide FET power amplifier [ SSPA | GaAsFET amplifier ]

Électrotechnique | Semi-conducteurs (Électronique) | Télécommunications

Electrical Engineering | Semiconductors (Electronics) | Telecommunications

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laser à l'arséniure de gallium et d'aluminium

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aluminium gallium arsenide laser

électronique > maser et laser

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gallium aluminum arsenide | GaAlAs | aluminum gallium arsenide

électronique > semi-conducteur | chimie

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composé ternaire arséniure de gallium et d'aluminium

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ternary compound gallium aluminum arsenide

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laser semiconducteur à l'arséniure de gallium/aluminium

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Al Ga As type semiconductor laser | diode laser | laser diode | injected laser

électroacoustique > matériel de reproduction du son

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

Les composés III/V sont des produits polycristallins ou monocristallins binaires ou complexes constitués d'éléments des groupes IIIA et VA du tableau de classification périodique de Mendeleïev (arséniure de gallium, arséniure de gallium-aluminium, phosphure d'indium, etc.).

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III/V compounds are polycrystalline or binary or complex monocrystalline products consisting of elements of groups IIIA and VA of Mendeleyev's periodic classification table (e.g., gallium arsenide, gallium-aluminium arsenide, indium phosphide).

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http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2003-01-26]

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Laser à l'arséniure de gallium et d'aluminium

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